Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Osinsky V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Osinsky V. 
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures [Електронний ресурс] / V. Osinsky, O. Dyachenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 142-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_7
In this work, we firstly investigated controlling the lattice parameter of III-oxides used as substrates for III-nitrides heterostructures. It was shown that the atomic content change in III-sublattice gives large possibilities for precise cation controlling the lattice parameters. The developed technique is promising to make ideal substrates in III-nitride epitaxy of LED, LD and transistors with a high quantum efficiency and small noise. This technology can be realized using MBE, MOSVD or CVD chloride-hydride epitaxy with computer driving.
Попередній перегляд:   Завантажити - 206.562 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Osinsky V. I. 
Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics [Електронний ресурс] / V. I. Osinsky, I. V. Masol, N. N. Lyahova, P. V. Deminsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 55-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 383.401 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Osinsky V. I. 
Integration of LED/SC chips (matrix) in reverse mode with solar energy storage [Електронний ресурс] / V. I. Osinsky, I. Masol, I. Feldman, A. Diagilev, N. O. Sukhovii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 215-219. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_17
In this work, for the first time we investigated controlling the quantum efficiencies of III-nitride LED/SC (solar cells) new energy accumulating elements and supercapacitors as energy storage devices (Enestors). It has been shown that the atomic content in these microenergetic devices gives large possibilities for energy storage from solar light. The developed technique is promising to make ideal new functional LED, LD and SC with a high quantum efficiency and small leakage. This technology can be realized using Si/A<^>3B<^>5 integrated processor technology epitaxy with computer driving.
Попередній перегляд:   Завантажити - 438.644 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Osinsky V. 
Some new technology aspects for quantum enestor through A3B5 multicomponent nanoepitaxy [Електронний ресурс] / V. Osinsky, I. Masol, N. Lyahova, N. Suhoviy, M. Onachenko, A. Osinsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 254-258. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.243 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського